2020-3-19 13:32:39
GaAs - Alta
GaAs representa el nivel más alto de tecnología fotovoltaica debido a su propiedad y confiabilidad superiores. Una celda de GaAs tradicional es cara, pesada y frágil, y por lo tanto no se puede aplicar a un sistema de energía móvil. La tecnología de celda solar de película delgada de GaAs desarrollada por Alta Devices es altamente eficiente, económica, de rendimiento de generación de energía superior, liviana y flexible, lo que la hace perfectamente aplicable a un sistema de energía móvil.
En Alta Devices, desarrollamos capas epitaxiales para formar productos solares de película delgada en un chip de cristal GaAs de MOCVD y extraemos el dispositivo y el sustrato flexible del chip de cristal mediante tecnología de procesamiento en húmedo. Luego, los productos de diferentes tamaños se completan de acuerdo con las necesidades del cliente. La tecnología de crecimiento rápido MOCVD y la tecnología VPE para grandes áreas, desarrolladas independientemente por Alta Devices, permiten grandes reducciones de costos y hacen posible la fabricación a gran escala.
GaAs - GSE
GSE adopta la tecnología de co-evaporación flexible CIGS. La línea de producción utiliza una técnica de rollo a rollo para hacer crecer células y películas solares CIGS funcionales sobre sustratos flexibles de acero inoxidable con un grosor de 30 μm; Se adoptan fuentes de evaporación distribuidas multipunto para mejorar la uniformidad de las películas depositadas; Proceso de evaporación corto (menos de 4 minutos); las materias primas son fáciles de adquirir (partículas de Cu, In, Se, Ga líquido); los XRF dobles se utilizan para controlar el grosor y los componentes de las películas depositadas mediante co-evaporación y compensadas ajustando las fuentes de evaporación cuando están fuera del objetivo; las materias primas tienen un alto índice de uso, los materiales en la sala de evaporación pueden ser recolectados para su reutilización; fácil manejo del polvo (cambio del panel de protección) y mantenimiento conveniente de la fuente de evaporación (6 horas de mantenimiento).
Además, GSE también posee una técnica independiente de empaquetado de Interconexión de Celdas Integradas (ICI). La técnica de envasado ICI adopta un revestimiento basado en imágenes para producir electrodos con una estructura interna más ajustada, que ha reducido la resistencia eléctrica de los módulos conectados en serie. Las células se conectan mediante soldadura láser, que resuelve el problema de los cortocircuitos. La pérdida de la tasa de conversión de células y módulos se ha reducido en gran medida.
CIGS - Solibro
Con 35 años de I + D y 10 años de experiencia en producción real, Solibro posee 88 patentes y ha demostrado la experiencia de integración y entrega de proyectos llave en mano que involucran equipos, procesos, industria y control integrado de los costos de producción.
Las principales características tecnológicas de la tecnología de co-evaporación CIGS de Solibro: evaporación desde abajo hacia arriba, sistema de fuente multipunto y distancia relativamente grande entre fuentes y sustratos. El recubrimiento de película funcional de células CIGS se completa con diferentes dispositivos especializados. Ventajas para la industrialización: rendimiento robusto, gran confiabilidad, alta producción, mantenimiento conveniente, alto índice de operación y eficiencia futura y flexibilidad de mejora tecnológica.
En la actualidad, Solibro puede brindar soporte completo desde el diseño personalizado del proyecto llave en mano CIGS POWER LINE hasta el lanzamiento de una línea de producción, incluidos los sistemas de evaporación de CIGS independientes para garantizar la alta calidad de un proceso central de CIGS y la tasa de conversión más alta.
CIGS - MiaSolé
MiaSolé adopta el único sistema de recubrimiento por pulverización magnetrón de bobina de una sola parada CIGS del mundo. Puede completar la deposición de películas para células CIGS en condiciones de vacío. Un sustrato deacero inoxidable de ocho kilómetros de largo y un metro de ancho puede usarse una vez para producir 1,2 MW depelículas.
La exclusiva técnica de seleniuro in situ y la técnica de recubrimiento por pulverización catódica CdS rompe la tasa de rendimiento y los altos costos de producción de CIGS.
Exclusivas técnicas de trituración y pulverización rotativa de tres lados; y rápido desarrollo de la técnica.
Tarda menos de 60 minutos; El ciclo más corto de I + D y fabricación en la industria, 5% o menos del tiempo de usonormal.
Técnica respetuosa con el medio ambiente sin desperdicio de agua o gas, que presenta un bajo consumo de energía y cumple con los requisitos ambientales nacionales.
La tecnología ha recibido atención nacional con requisitos específicos para priorizar el desarrollo.
La Guía de desarrollo de tecnología genérica de clave industrial 2015 del Ministerio de Industria y Tecnología de la Información señala que "la I + D de la producción de células CIGS, especialmente la técnica de producción de rollo arollo continuo a gran escala, debe ser respaldada".
GOLPEAR
La tecnología eficiente de heteroestructura de silicio se refiere a la tecnología de heterounión cuya capa intrínseca tiene material de silicio amorfo. La tecnología consiste en hacer crecer un total de 6 capas de película en las superficies hacia arriba y hacia abajo de la oblea de silicio monocristal de tipo n o tipo p. La estructura de la célula SHJ de doble cara del Grupo es Ag gate / ITO film / p-type película de silicio amorfo / intrinsic amorfo silicon film / n-type single-crystal silicon wafer / intrinsic amorfo silicon film / n-type amorfo silon película / película de ITO en la espalda / rejilla de Ag
